Kristin Rinortner ♥ analog-praxis.de

Kristin Rinortner


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Artikel des Autors

Aufmacher RAQ
Lighting

LEDs sind auch Fotodioden

Frage: In einer früheren Veröffentlichung von Analog Devices wird niederfrequentes Rauschen mit 100/120 Hz diskutiert, das von der Empfindlichkeit einer Glasdiode verursacht wird. Ich benötige einen preiswerten Fotodetektor, aber eine 1N4148-Diode funktioniert anscheinend nicht. Wie sollte ich sie anschließen?

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Aufmacher RAQ
Expertenrat

Simultane Über- und Unterabtastung

Frage: Warum haben moderne A/D-Wandler eine Signalbandbreite, die viel größer als ihre maximale Abtastfrequenz ist? Verlangt die Abtasttheorie nicht, dass die Signalfrequenz auf die Hälfte der Abtastfrequenz begrenzt ist? Würde man nicht Energie sparen, wenn die Eingangsstufen niedrigere Bandbreiten hätten?

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Wie Sie den richtigen MOSFET finden – Teil 1

Bei komplizierten Schaltungen zur Stromversorgung neigt man dazu, die Auswahl des MOSFETs erst zum Schluss anzugehen – schließlich geht es hier ja nur um ein Bauelement mit nur drei Anschlüssen. Lassen Sie sich jedoch nicht von Äußerlichkeiten täuschen, denn die Wahl des richtigen MOSFETs kann sich komplizierter gestalten als man denkt.

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Rauschgenerator im Taschenformat: In einigen Fällen ist eine Rauschquelle notwendig, die außer Rauschen kein anderes Signal abgibt.

Rauschen messen: Rauschgenerator im Taschenformat

Rauschen ist der Feind aller elektrischen Schaltungen und deshalb sollte jede Schaltung so wenig Rauschen wie möglich erzeugen. Es gibt allerdings Fälle, in denen eine gut charakterisierte Rauschquelle benötigt wird, die außer Rauschen kein anderes Signal abgibt. Wir stellen einen einfachen, batteriebetriebenen Rauschgenerator vor, mit dem sich Weißes Rauschen erzeugen lässt.

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Nachbau des ersten Transistors (SNF)

Warum der Transistor zweimal erfunden wurde

Der Transistor gilt als „die Erfindung des 20. Jahrhunderts“. Und er wurde zweimal unabhängig voneinander entwickelt: von Forschern in den USA mit dem „Transistor“ und in Frankreich mit dem „Transistron“. Letztere Entwicklung kennen heute wenige, obwohl das Bauelement bessere Werte bei Rauschen, Stabilität und Lebensdauer aufwies.

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MOSFET-Datenblätter: Wie Sie die Datenblattangaben von MOSFETS richtig interpretieren

MOSFET-Datenblätter richtig lesen: UIS und Avalanche-Festigkeit (Teil 1)

In MOSFET-Datenblättern muss man wissen, wonach man sucht. Während sich die Bedeutung einiger Angaben, beispielsweise Drain-Source-Spannung, Einwiderstand und Gate-Ladung, sofort erschließt, sind andere, etwa Drain-Strom und SOA-Diagramme, mehrdeutig oder nutzlos. In Teil 1 unserer Serie beschäftigen wir uns mit der UIS-Angabe und der Avalanche-Festigkeit.

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Aktive Halbleiterkomponenten: Sie haben ihre Tücken. Viele frustrierende Erlebnisse könnten vermieden werden, wenn man die Datenblätter richtig liest und interpretiert.
Grundlagen

Wie man Maximalwerte und Wärmewiderstände richtig interpretiert

Beim Einsatz von aktiven Bausteinen in einer Elektronikschaltung stellt sich oft die Frage, welche maximalen Belastungen für Komponenten zulässig sind und damit letztendlich, wie die einzelnen Schaltungsteile zu dimensionieren und zu schützen sind. Einige grundsätzliche Antworten zu diesen Themenumfeld zeigen wir am Beispiel eines Operationsverstärkers auf.

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MOSFET Datenblätter richtig lesen: Die Schaltparameter

MOSFET-Datenblätter richtig lesen: Die Schaltparameter (Teil 5)

Willkommen zum nächsten Beitrag der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen“, in der wir versuchen, den Datenblättern von Leistungs-MOSFETs die Unklarheiten zu nehmen. In diesem Beitrag werfen wir einen Blick auf einige weitere Schaltparameter, die man in den Datenblättern von MOSFETs vorfindet. Wir untersuchen, welche Relevanz diese Angaben für die allgemeine Leistungsfähigkeit der Bausteine haben.

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