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Was man über Widerstände in Impulsanwendungen wissen sollte

Was man über Widerstände in Impulsanwendungen wissen sollte

Impulsbelastungen können Widerstände soweit schädigen, dass sich ihr Widerstandswert ändert oder sie gar ausfallen. Mit dem richtigen Knowhow lässt sich das vermeiden. Dieser Beitrag soll dabei unterstützen, die richtige Wahl gemäß den Anforderungen der eigenen Anwendung zu treffen. lesen

Gleichrichter-Datenblätter richtig verstehen und Ausfälle vermeiden

Gleichrichter-Datenblätter richtig verstehen und Ausfälle vermeiden

Werden grundlegende Regeln befolgt und nicht allein Datenblattwerte angewandt, sondern auch Herstellungsprozess und Testergebnisse berücksichtigt, dann lassen sich Ausfälle vermeiden. lesen

Hochvolt-MOSFET ersetzt Elektromechanik wie Relais und Leistungsschutzschalter

Hochvolt-MOSFET ersetzt Elektromechanik wie Relais und Leistungsschutzschalter

Bisher sind nur wenige Details zum CoolMOS S7 herausgegeben. Der Hochvolt-Leistungshalbleiter ersetzt elektromechanische Relais und Leistungsschutzschalter und wird zur Messe SPS offiziell vorgestellt. lesen

Wie SiC-Halbleiter die Effizienz von PV-Anlagen verbessern

Wie SiC-Halbleiter die Effizienz von PV-Anlagen verbessern

Der Autor skizziert, wie sich zum Entwurf eines Photovoltaik-Wechselrichters die Vorzüge von SiC bestmöglich nutzen lassen. Er gibt Tipps zur Topologie-Auswahl und analysiert dazu die Verlustleistungen. lesen

Analogsignale aufgedröselt: Die effektive Rauschbandbreite bei Delta-Sigma-ADCs (Teil 3)

Analogsignale aufgedröselt: Die effektive Rauschbandbreite bei Delta-Sigma-ADCs (Teil 3)

In den vorangegangenen Teilen der Serie „Analogsignale aufgedröselt“ habe ich erklärt, was man unter der äquivalenten (effektiven) Rauschbandbreite (ENBW) versteht, welchen Nutzen die Angabe der ENBW hat und woraus die ENBW eines Systems resultiert. Jetzt lernen Sie, wie man die ENBW berechnet. lesen

MOSFET-Datenblätter richtig lesen: Der Wärmewiderstand (Teil 6)

MOSFET-Datenblätter richtig lesen: Der Wärmewiderstand (Teil 6)

Nachdem die ersten fünf Teile dieser Blog-Serie erschienen waren, wurden mir weitere Fragen zu den Datenblättern von Leistungs-MOSFETs gestellt. Dabei ging es meist um die Parameter in der Tabelle mit thermischen Informationen. Daher befasse ich mich diesmal mit den Angaben des Wärmewiderstands zwischen Sperrschicht und Umgebung und des Wärmewiderstands zwischen Sperrschicht und Gehäuse. Denn auch hier scheint es Unklarheiten zu geben. lesen

Wenn ein geringer Stromverbrauch Probleme bereitet

Wenn ein geringer Stromverbrauch Probleme bereitet

Frage: Ich habe eine meiner Komponenten gegen ein neueres, besseres Bauteil mit geringerem Stromverbrauch ausgetauscht. Seitdem funktioniert nichts mehr. Was ist da passiert? Antwort: Linearregler sind ziemlich einfache Bauteile und stellen keine allzu großen Anforderungen. Trotzdem kann man mit ihnen unbeabsichtigt Probleme bekommen. lesen

Stromversorgungsdomänen in schnellen A/D-Wandlern

Stromversorgungsdomänen in schnellen A/D-Wandlern

Frage: Warum gibt es all diese unterschiedlichen Spannungsbereiche und Stromversorgungsdomänen für Hochgeschwindigkeits-A/D-Wandler? Antwort: Moderne Analog/Digital-Wandler im Hochfrequenzbereich (HF-ADCs) haben eine lange Entwicklung bezüglich Abtastraten, aber auch nutzbarer Bandbreiten hinter sich. Sie enthalten jetzt wesentlich mehr digitale Signalverarbeitungsfunktionen und weisen bei der Stromversorgung eine höhere Komplexität auf. lesen

MOSFET-Datenblätter richtig lesen: Die Schaltparameter (Teil 5)

MOSFET-Datenblätter richtig lesen: Die Schaltparameter (Teil 5)

Willkommen zum nächsten Beitrag der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen“, in der wir versuchen, den Datenblättern von Leistungs-MOSFETs die Unklarheiten zu nehmen. In diesem Beitrag werfen wir einen Blick auf einige weitere Schaltparameter, die man in den Datenblättern von MOSFETs vorfindet. Wir untersuchen, welche Relevanz diese Angaben für die allgemeine Leistungsfähigkeit der Bausteine haben. lesen

Wie sich Einschaltströme wirkungsvoll begrenzen lassen

Wie sich Einschaltströme wirkungsvoll begrenzen lassen

Leistungsstarke Lasten sind beim Einschalten für Sicherungen und Bauelemente ein großer Stressfaktor, da hierbei sehr hohe Ströme fließen. Vermeiden lassen sich diese mit Einschaltstrombegrenzern auf der Basis von NTC- und PTC-Thermistoren, die auch kombiniert eingesetzt werden können. lesen

Wo soll die Spule
auf der Leiterplatte hin?

Wo soll die Spule auf der Leiterplatte hin?

Die Spule eines Schaltreglers ist kein Teil der kritischen Hot Loop. Es ist aber durchaus sinnvoll, Steuerleitungen nicht unter oder sehr nahe an der Spule zu führen. Wie das praktisch realisierbar ist, zeigt unser Power-Tipp. lesen

1953: Der erste Silicium-Einkristall

1953: Der erste Silicium-Einkristall

Neben der Erfindung des Transistors ist die Herstellung und Entwicklung von Silicium-Leistungshalbleitern prägend für die aufkommende Elektronikindustrie gewesen. Eine der bahnbrechenden Entwicklungen war die Herstellung von einkristallinem Reinst-Silicium. lesen

Wie Sie einen unipolaren Gate-Treiber bipolar ansteuern

Wie Sie einen unipolaren Gate-Treiber bipolar ansteuern

Frage: Benötigt man einen speziellen Gate-Treiber, um positive und negative Spannungen zu generieren? Antwort: Nein, man kann einen unipolaren Gate-Treiber so adaptieren, dass man auf bipolare Weise treiben kann. lesen

Ein Blick in die Vergangenheit
der Datenwandler

Analogwandler

Ein Blick in die Vergangenheit der Datenwandler

Erstmals vor über 95 Jahren beschrieb Paul M. Rainey einen 5-Bit Datenwandler. Anschließend revolutionierte die Elektronenröhre die Wandlertechnik, bis sie vom integrierten Schaltkreis abgelöst wurde. lesen

Bell-Transistor Nr. 9 im Deutschen Museum in München zu sehen

Bell-Transistor Nr. 9 im Deutschen Museum in München zu sehen

Der Transistor gilt als die „Erfindung des 20. Jahrhunderts“. Eines der ersten funktionierenden Bauelemente aus den Bell Labs, der Transistor Nr. 9, ist jetzt im Deutschen Museum zu sehen. lesen

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