Der Autor skizziert, wie sich zum Entwurf eines Photovoltaik-Wechselrichters die Vorzüge von SiC bestmöglich nutzen lassen. Er gibt Tipps zur Topologie-Auswahl und analysiert dazu die Verlustleistungen. lesen
In den vorangegangenen Teilen der Serie „Analogsignale aufgedröselt“ habe ich erklärt, was man unter der äquivalenten (effektiven) Rauschbandbreite (ENBW) versteht, welchen Nutzen die Angabe der ENBW hat und woraus die ENBW eines Systems resultiert. Jetzt lernen Sie, wie man die ENBW berechnet. lesen
Nachdem die ersten fünf Teile dieser Blog-Serie erschienen waren, wurden mir weitere Fragen zu den Datenblättern von Leistungs-MOSFETs gestellt. Dabei ging es meist um die Parameter in der Tabelle mit thermischen Informationen. Daher befasse ich mich diesmal mit den Angaben des Wärmewiderstands zwischen Sperrschicht und Umgebung und des Wärmewiderstands zwischen Sperrschicht und Gehäuse. Denn auch hier scheint es Unklarheiten zu geben. lesen
Frage: Ich habe eine meiner Komponenten gegen ein neueres, besseres Bauteil mit geringerem Stromverbrauch ausgetauscht. Seitdem funktioniert nichts mehr. Was ist da passiert? Antwort: Linearregler sind ziemlich einfache Bauteile und stellen keine allzu großen Anforderungen. Trotzdem kann man mit ihnen unbeabsichtigt Probleme bekommen. lesen
Frage: Warum gibt es all diese unterschiedlichen Spannungsbereiche und Stromversorgungsdomänen für Hochgeschwindigkeits-A/D-Wandler? Antwort: Moderne Analog/Digital-Wandler im Hochfrequenzbereich (HF-ADCs) haben eine lange Entwicklung bezüglich Abtastraten, aber auch nutzbarer Bandbreiten hinter sich. Sie enthalten jetzt wesentlich mehr digitale Signalverarbeitungsfunktionen und weisen bei der Stromversorgung eine höhere Komplexität auf. lesen
Willkommen zum nächsten Beitrag der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen“, in der wir versuchen, den Datenblättern von Leistungs-MOSFETs die Unklarheiten zu nehmen. In diesem Beitrag werfen wir einen Blick auf einige weitere Schaltparameter, die man in den Datenblättern von MOSFETs vorfindet. Wir untersuchen, welche Relevanz diese Angaben für die allgemeine Leistungsfähigkeit der Bausteine haben. lesen
Leistungsstarke Lasten sind beim Einschalten für Sicherungen und Bauelemente ein großer Stressfaktor, da hierbei sehr hohe Ströme fließen. Vermeiden lassen sich diese mit Einschaltstrombegrenzern auf der Basis von NTC- und PTC-Thermistoren, die auch kombiniert eingesetzt werden können. lesen
Die Spule eines Schaltreglers ist kein Teil der kritischen Hot Loop. Es ist aber durchaus sinnvoll, Steuerleitungen nicht unter oder sehr nahe an der Spule zu führen. Wie das praktisch realisierbar ist, zeigt unser Power-Tipp. lesen
Neben der Erfindung des Transistors ist die Herstellung und Entwicklung von Silicium-Leistungshalbleitern prägend für die aufkommende Elektronikindustrie gewesen. Eine der bahnbrechenden Entwicklungen war die Herstellung von einkristallinem Reinst-Silicium. lesen
Frage: Benötigt man einen speziellen Gate-Treiber, um positive und negative Spannungen zu generieren? Antwort: Nein, man kann einen unipolaren Gate-Treiber so adaptieren, dass man auf bipolare Weise treiben kann. lesen
Erstmals vor über 95 Jahren beschrieb Paul M. Rainey einen 5-Bit Datenwandler. Anschließend revolutionierte die Elektronenröhre die Wandlertechnik, bis sie vom integrierten Schaltkreis abgelöst wurde. lesen
Der Transistor gilt als die „Erfindung des 20. Jahrhunderts“. Eines der ersten funktionierenden Bauelemente aus den Bell Labs, der Transistor Nr. 9, ist jetzt im Deutschen Museum zu sehen. lesen
Erste Muster-Bausteine gibt es vom Buck/Boost-LED-Controller BD18312MUF-M. Der Artikel skizziert den LED-Treiber für Automotive-Anwendungen, beispielsweise für die Außenbeleuchtung. lesen
Dieser Power-Tipp beschäftigt sich mit den Störungen von Schaltreglern. Wir zeigen drei Möglichkeiten, wie Sie die abgestrahlten und leitungsgebundenen Sörungen des Systems minimieren können und stellen einen Filterdesigner vor. lesen
Liebe FET-Freunde, willkommen zum vierten Teil der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen. Heute geht es um die Impulsstrom-Angaben sowie darum, wie diese berechnet werden und wie sie im SOA-Diagramm des FET-Datenblatts erscheinen. lesen
